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Si7848BDP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thr u 4 V
3 V
10
8
6
4
T C = 25 °C
10
2
T C = 125 °C
0
2 V
0
T C = - 55 °C
0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.012
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
2000
C iss
0.010
V GS = 4.5 V
1600
0.00 8
V GS = 10 V
1200
800
0.006
0.004
400
0
C oss
C rss
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 20 V
I D = 16.4 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 16.4 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74632
S09-0532-Rev. C, 06-Apr-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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